金（jīn）屬（shǔ）有（yǒu）機物化學氣相澱積（簡稱MOCVD）是技術生長III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮氣作為載氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與V族的氫化物（wù）（如NH3、PH3、AsH3）混合，通入反（fǎn）應室，在加熱的襯底表麵發生反應，外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發光核心是一種稱為外延片（Epitaxial Slice）的複合材（cái）料，由於Mocvd技術在外延片上的成功運用（yòng），使得此（cǐ）種設備使用量迅（xùn）速（sù）增加。
由於MOCVD設備工作時工作溫度高於2000℃，鎢（wū）鉬也是該設（shè）備集氣環等部分組件的優選材料。
集氣環可由（yóu）純鉬或高溫鉬製作。