濺（jiàn）射是一種先進的薄膜材料製備技術, 它利用離子源產生的離子, 在真空（kōng）中加速聚集成高速離子流, 轟（hōng）擊固體表麵, 離子和固體（tǐ）表麵的原子發生動能交換, 使（shǐ）固體表麵（miàn）的原子離開靶材並沉積在基材表麵, 從而形成納（nà）米或微米薄膜。而被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原（yuán）材料, 稱為濺射靶材。鎢靶材和鉬靶材可在各類基材上形成薄膜, 這種濺射膜廣泛用作（zuò）電子部件和電（diàn）子產品, 如目前廣泛應用的TFT - LCD ( 薄（báo）膜半導體管-液晶顯示器)、等離子顯示（shì）屏、無機光發射二極管顯示器（qì）、場發射顯示器、薄膜太（tài）陽能電池、傳感（gǎn）器（qì）、半導體裝置（zhì）以及具有可調諧功函數CMOS(互補金屬氧化物半導體)的場效應晶（jīng）體管柵極等 。
近年來，作為LCD(液晶（jīng）顯示)、PDP(等（děng）離子顯示)等平（píng）麵顯示器（qì）的（de）電極和配線材料的鉬係合金靶越來越（yuè）受到人們的（de）關注。在TFt-LCD中，柵電極是一個關鍵部（bù）件，以前主要是用Cr／A1作為柵（shān）電極材料，隨著平麵顯（xiǎn）示器的大型化和高（gāo）精度化，對材料的（de）比阻抗（kàng）要求越來越高，鉬的比阻抗和膜應力僅為鉻（gè）的1／2，同時，由於鉻在蝕刻過程中（zhōng）會產生六價態Cr，對環（huán）境和健康有害，因此現在越來越多的公司改用（yòng）Mo／A1作為柵電極材料，這樣對鉬靶材的需求也就（jiù）越來越大。在鉬靶材的應用中，鉬合金的研究也越來越多，為進一（yī）步提高純鉬（mù）在耐腐蝕性（xìng）(變色)和密著（zhe）性(膜的剝離)，在鉬中添加V、Nb、W、Ta則會使比電阻、應力及耐蝕性等各種性能更好。其中鉬铌靶（bǎ）材和鉬鉭靶材已（yǐ）得到了廣泛使用。
鉬鉭靶材批量應用於液晶麵板的濺射（shè）比（bǐ）鉬铌靶材晚，擁有比鉬铌靶材更優的特性。
我（wǒ）公（gōng）司可生產鉭含量為2%-10%的鉬鉭靶材
我公司生產的大尺寸（cùn）鉬鉭靶材密度可達9.9g/cm³
愛（ài）科麥生（shēng）產的（de）鉬鉭靶材晶粒度細、組織均勻、雜質含量底、電阻率適合濺射使（shǐ）用。
衡量靶材的質量主要因素（sù）有 純度、致密度、晶粒尺寸及分（fèn）布等。在這些方（fāng）麵，愛科麥投入（rù）了大量的資金和精力進行研發並取（qǔ）得了顯著成效。並（bìng）形（xíng）成了具有以下特點的（de）生產工藝（1）選擇高純鉬粉作為原料; ( 2)獨有的成形燒結技術, 以保證靶材的（de）低孔隙率, 並控製晶粒度; ( 3)製備過程嚴格控製雜（zá）質元素的引入。（4）大尺寸鎢鉬材料的細晶軋製技術。（5）對部分（fèn）高要求產品采用熱等靜壓方法，*大程度（dù）地獲得了靶（bǎ）材的良好性能。
此（cǐ）外，愛科麥（mài）生產近期致力於以下產品（pǐn）的研發並取得了突破：
1.產品大型化 生產出（chū）了單（dān）張尺寸規格為1 430mm *1 700mm *10 mm適合於G5代TFT鍍膜設備的鉬及鉬（mù）鉭靶材。對於更大的產品減少了拚接的數量。
2.為適應市場提（tí）高靶材利用率需求（qiú），正（zhèng）在研發製造長度超過3米的燒結（jié）旋轉靶材，此種方法生產的鉬靶材與噴塗法相比，具有（yǒu）質密的優勢。
3.新興的鎢鈦靶材的研製