濺射是（shì）一種先進的薄膜材料製備技術, 它利用離子源產生的離子, 在真空中加速聚（jù）集成高速離子流, 轟擊固體表（biǎo）麵, 離子和固體（tǐ）表麵的原子發生動能交換（huàn）, 使固體表麵的原子離開靶材並沉積在基材表麵, 從而形成（chéng）納米或微米薄膜。而被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料, 稱為（wéi）濺射（shè）靶材。鎢靶（bǎ）材（cái）和鉬靶材可在各類基材上形成薄膜, 這種濺射膜廣泛用作電子部件和電子產品, 如目前廣泛應用的（de）TFT - LCD ( 薄膜半導體管-液晶顯示器)、等離子顯示屏、無機光發射二（èr）極（jí）管顯示器（qì）、場發射顯示器、薄膜太陽（yáng）能電池、傳感器、半導體裝置以及（jí）具有可調諧功函數CMOS(互補金屬氧化物半導（dǎo）體)的場效（xiào）應晶體管柵極等 。
近年來，作為（wéi）LCD(液晶顯（xiǎn）示)、PDP(等離子顯示)等平麵顯示器的電極和配線材料的鉬係合金靶越來越受到人們的關注。在TFt-LCD中，柵電極是一個關鍵部件，以前主要是用Cr／A1作為柵電（diàn）極材料，隨著（zhe）平麵顯示器的（de）大型化和高精度化（huà），對材料的比阻抗要求越來（lái）越高，鉬（mù）的比阻抗和膜（mó）應力僅為鉻的1／2，同時，由於（yú）鉻在蝕刻過程中（zhōng）會（huì）產生六價態Cr，對環境和健康有害，因此現在越來越多的公（gōng）司改用Mo／A1作為柵電（diàn）極材料，這樣對鉬靶材（cái）的需求（qiú）也就越來越（yuè）大。在鉬靶材的應（yīng）用（yòng）中，鉬合金的研究也（yě）越來越多，為（wéi）進一步（bù）提高純鉬在耐腐蝕性(變色)和密著性(膜的剝離)，在鉬中添加V、Nb、W、Ta則會使比電阻、應力及耐蝕性等各種性能更好。
鉬铌靶材（cái）正（zhèng）是在此種認知基礎（chǔ）上*早（zǎo）被大批量運用的鉬合金靶材材料。隨之，鉬（mù）铌旋轉靶材的市（shì）場（chǎng）需求日益增加。鉬铌靶材中通常（cháng）铌含量（liàng）為5%或10%，通（tōng）常用燒結方法製作，因铌在燒結過程中有明顯的吸氫現象，通常在真空燒結設備中完成。但傳統的製作方法生產出來的鉬铌靶（bǎ）材無法滿足飛速進步的平麵顯示器行業的質量要求，我公司采用了熱等靜壓等工藝對鉬铌（ní）靶材的性能進行了改善，愛科麥生產的（de）10%含量平麵鉬铌靶材和鉬铌旋轉靶材密度可達9.7g/cm3 以上，其組織均勻性及純度等指標均受到（dào）了客戶好評。
衡量靶材的質量主要因（yīn）素有 純度、致（zhì）密（mì）度（dù）、晶粒尺（chǐ）寸及分布等。在這些方麵，愛科麥投（tóu）入（rù）了大量的資金和（hé）精力進行研發並取得了顯著成效。並形成了具有以下特點的生產工（gōng）藝（1）選擇高純鉬粉作為原料; ( 2)獨（dú）有的成形燒結技術, 以保證靶材的低（dī）孔隙率, 並控製（zhì）晶粒度; ( 3)製備過程嚴格控（kòng）製雜質元素（sù）的引入。（4）大尺（chǐ）寸鎢（wū）鉬材料的（de）細晶軋製技（jì）術。（5）對部分高（gāo）要求產品采用熱等靜壓方法，*大程度地（dì）獲得了靶材的良好性能。如此方法製得的鉬铌靶材獲得了95％～99％的極高密度細晶粒產品。
此外，愛科麥生（shēng）產近期致力於以下產品的研發並取得了突破：
1.產（chǎn）品大型化 生產出了單張尺寸規（guī）格為（wéi）1 430mm *1 700mm *10 mm適合於G5代TFT鍍膜設備的鉬及鉬鉭靶材。對於更大的產品減少了拚接的數量。
2.為適應市場提高靶材（cái）利用（yòng）率需求（qiú），正在研發製造長度超過（guò）3米的燒結旋轉靶材，此（cǐ）種方法生產的鉬靶材與噴塗法相比，具有質密（mì）的（de）優（yōu）勢。
3.新興的鎢鈦（tài）靶（bǎ）材的研製